MJE350 PNP-SI 300V/0.5A 20W TO126 spinimages=24 hvilket mindsker risikoen for skader

hvilket mindsker risikoen for skader eller uautoriseret adgang

Ved at vælge et komponent med præcise mål og solid konstruktion

men markant visuelt element

Ved at anvende et værktøj

Udedelen er konstrueret til at modstå danske vejrforhold med komponenter

MJE350 PNP-SI 300V/0.5A 20W TO126 spinimages=24 hvilket mindsker risikoen for skaderMJE350 er en PNP transistor designet til en spnding p op til 300V og en maksimal strm p 0,5A. Med en effektkapacitet p 20W egner den sig til applikationer, hvor moderat effekt og spndingshndtering er ndvendige. Det kompakte TO126 hus sikrer nem integration i kredslb uden at optage undig plads. Tekniske egenskaber og anvendelsesmuligheder Med en maksimal kollektor emitter spnding p 300 volt kan MJE350 hndtere relativt hje spndingsniveauer, hvilket gr